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Samsung 1TB MZ-V9S1T0BW 990 EVO Plus M.2 2280 NVMe PCIe SSD

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Détails du produit
Specification Detail
Application Client PCs
Interface PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
Dimension (W×H×D) 80.15 x 22.15 x 2.38 mm
Performance (Sequential Read) Up to 7,150 MB/s *
Performance (Sequential Write) Up to 6,300 MB/s *
Weight Maximum 9.0 g
Rated Capacity 1,000 GB (1 GB = 1 billion bytes, IDEMA)
Form Factor M.2 (2280)
Storage Memory Samsung V‑NAND TLC
Controller Samsung in‑house controller
Cache Memory Host Memory Buffer (HMB)
TRIM Support Supported
S.M.A.R.T Support Supported
Garbage Collection Auto GC Algorithm
Encryption AES 256‑bit (Class 0) TCG/Opal IEEE1667
WWN Support Not supported
Device Sleep Mode Supported
Random Read (4 KB, QD32) Up to 850,000 IOPS *
Random Write (4 KB, QD32) Up to 1,350,000 IOPS *
Average Power Consumption Read 4.3 W / Write 4.2 W *
Idle Power Consumption Typical 60 mW *
Device Sleep Power Typical 5 mW *
Allowable Voltage 3.3 V ± 5 %
Reliability (MTBF) 1.5 million hours
Operating Temperature 0 °C – 70 °C
Shock Resistance 1,500 G for 0.5 ms (half‑sine)
Warranty 5‑year limited or 600 TBW limited
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Garantie
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